一、1、樣品襯底在蒸鍍前可以通過離子槍進行清潔。2、樣品臺的三維轉動(平面內和垂直于平面)。3、可以注入氣體(特別是氧氣)，并且可控制其壓強。4、蒸鍍厚度控制：頻率：10-4Hz；沉積速度分辨率：0.001nm/s；沉積厚度分辨率：0.01nm/s；沉積厚度可重復性：±1sxrate。
 

　　二、1、真空度<2x10-7Torr(可達到3.0×10-8Torr)。2、電壓源型號ST6；電壓2-10kV可調，電子束流0-0.6A。3、樣品臺可以適用于6英寸晶片。4、電子槍離子電壓:100-1000eV。
 

　　三、直徑4英寸基片，片內均勻性優于±3%，片間均勻性優于±2%，重復性優于±2%。
 

　　四、真空蒸發鍍膜是一種由物理方法產生薄膜材料的技術。該設備被廣泛應用于在基底上制備均勻材料薄膜，從而對基底表面進行改性。系統的極限壓強可達≤2x10-7Torr;三組熱阻蒸發源;?可儲存100個工藝，1000層，50種薄膜;最大轉速可達20轉/分鐘;最高加熱溫度不低于350℃。
 

　　五、蒸發鍍膜儀將蒸發材料放在坩堝內，坩堝放置在高真空腔體中，通過高壓燈絲發射電子，電子通過磁場偏轉轟擊到坩堝內的蒸鍍材料表面，對蒸鍍材料進行加熱，電子束蒸發源的能量可高度集中，使鍍膜材料局部達到高溫而蒸發，實現蒸發鍍膜。根據不同材料的性質分為固態升華和液態蒸發，整個蒸發過程是物理過程，實現物質從源到薄膜的轉移。裝有蒸發材料的坩堝周圍有冷卻系統，避免坩堝內壁與蒸發材料發生反應影響薄膜質量。